reza4466



Memory چیست؟
حافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم .

شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند . به این معنی که در آنها هیچ قطعه متحرکی به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام می شود . در مقابل درون دیسک های سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد که این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد

Memory چیست؟
حافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم .

شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند . به این معنی که در آنها هیچ قطعه متحرکی به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام می شود . در مقابل درون دیسک های سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد که این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد .
قطعاتی از قبیل تراشه های BIOS ، حافظه های فلش متراکم شده که در دوربین های دیجیتالی به کار می روند ، حافظه های هوشمند ، Memory Stick و کارت های حافظه که در کنسول های بازی به کار می روند همه و همه از این نوع حافظه استفاده می کنند .
در این قسمت به فن آوری و زیر ساخت این نوع حافظه نگاهی کوتاه داریم . حافظه های فلش از تراشه های EEPROM ساخته شده اند . همان طور که در مقالات قبلی ذکر شد در این گونه از حافظه ها ذخیره و حذف اطلاعات توسط جریان های الکتریکی صورت می پذیرد . این گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون های مختلف شبکه ای منظم را پدید می آورند . در این شبکه هر بخش کوچک دارای شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از این بخش ها یک سلول حافظه نامیده می شود . هر کدام از این سلول ها ازتعدادی ترانزیستور ساخته شده و هر کدام از این سلول ها توسط لایه های اکسید از دیگر سلول ها جدا می باشد . درداخل این سلول ها دو ترانزیستور معروف با نام های Floating gate و Control gate استفاده می شود . Floating gate به خط ارتباطی سطر ها متصل بوده و تا زمانی که ارتباط بین این دو ترانزیستور برقرار باشد ، این سلول دارای ارزش ١ می باشد . این سلول ها می توانند دارای ارزش ١ و یا ٪ باشند .
● Tunneling :
این روش برای تغییر دادن مکان الکترون های ایجاد شده در Floating gate بکار می رود . اغلب سیگنال های شارژ الکترونیکی بین ١٪ تا ١٣ ولت می باشند که این میزان توسط Floating gate استفاده می شود . در زمان Tunneling این میزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمین منتقل می شود . این سیگنال باعث می شود که این ترانزیستور مشابه یک تفنگ الکترونی وارد عمل شود . این تفنگ الکترونی ، الکترون ها به خارج لایه اکسید شده رانده و بدین ترتیب باعث از بین رفتن آنها می شود .
در اینجا واحد مخصوصی به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت می کند . اگر مقدار این سیگنال که از میان دو ترانزیستور می گذرد کمتر از نصف آستانه حساسیت حسگر باشد ، برای آن سلول در ارزش گذاری رقم ٪ ثبت می شود . ذکر این نکته ضروری است که این سلول ها در حالت عادی دارای ارزش ١ هستند .
با این توضیحات ممکن است فکر کنید که درون رادیو خودروی شما یک حافظه فلش قراردارد . درست حدس زدید ، اطلاعات ایستگاه های رادیویی مورد علاقه شما در نوعی حافظه به اسم Flash ROM ذخیره می شود . البته نحوه ثبت و نگهداری اطلاعات در این نوع حافظه به کلی با Flash memory فرق می کند . این نوع حافظه برای نگهداری اطلاعات به یک منبع الکتریسیته خارجی احتیاج دارد . در صورتی که حافظه های فلش بدون نیاز به منبع خارجی اطلاعات را ثبت و ضبط می کنند .
زمانی که شما اتومبیل خود را خاموش می کنید جریان بسیار کمی به سمت این حافظه در جریان است و همین جریان بسیار کم برای حفظ اطلاعات شما کافی می باشد . ولی با تمام شدن باتری خودرو و یا جدا کردن سیم برق کلیه اطلاعات ثبت شده از بین می رود .
امروزه این فن آوری ، آنقدر سریع توسعه می یابد که تا چند سال دیگر قادر به ذخیره اطلاعات معادل ٤٪ گیگا بایت در فضایی به اندازه یک سانتی متر مربع هستیم . هم اکنون نیز این حافظه ها در ابعاد بسیار کوچک در ظرفیت های گوناگون در دسترس همه قرار .
فلش مموری
حافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم . شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند . به این معنی که در آنها هیچ قطعه متحرکی به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام می شود . در مقابل درون دیسک های سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد که این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد .


حافظهٔ فلشیافلش مموری(بهانگلیسی:Flash memory)، حافظهٔ غیر فرّار ذخیره سازی رایانه ای است که می توان آن را به صورتالکتریکیپاک و دوباره برنامه ریزی کرد. این فناوری عمدتاً در کارت های حافظه ویواس بیاستفاده می شود و برای ذخیره سازی عمومی و انتقال داده ها بین رایانه ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می رود. این نوع خاصی از EEPROM (حافظهٔ فقط خواندنی پاک شدنی و قابل برنامه ریزی به صورت الکتریکی) است که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه ریزی شده است. از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست. علاوه بر این، این حافظه به ارائه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار دینامیک دسترسی تصادفی (DRAM)، که برایحافظه اصلیدر رایانه ها به کار می رود سریع نیست) ولی مقاوم تر ازدیسک سخت(Hard disk) در برابر شوک حرکتی می باشد.

حافظهٔ فلشیافلش مموری(بهانگلیسی:Flash memory)، حافظهٔ غیر فرّار ذخیره سازی رایانه ای است که می توان آن را به صورتالکتریکیپاک و دوباره برنامه ریزی کرد. این فناوری عمدتاً در کارت های حافظه ویواس بیاستفاده می شود و برای ذخیره سازی عمومی و انتقال داده ها بین رایانه ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می رود. این نوع خاصی از EEPROM (حافظهٔ فقط خواندنی پاک شدنی و قابل برنامه ریزی به صورت الکتریکی) است که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه ریزی شده است. از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست. علاوه بر این، این حافظه به ارائه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار دینامیک دسترسی تصادفی (DRAM)، که برایحافظه اصلیدر رایانه ها به کار می رود سریع نیست) ولی مقاوم تر ازدیسک سخت(Hard disk) در برابر شوک حرکتی می باشد.

دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطق های NAND , NOR نام گذاری شده اند سلول های مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوط را نشان می دهند. در حالی که EPROMها باید قبل از نوشته شدن به طور کامل پاک شوند، فلش های نوع NANDمی توانند هم زمان در بلوک هایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلش های NOR به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه می دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند. نوع NAND به صورت عمده در کارت های حفظ فلش های یواس بی و درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده می شود. فلش های NAND, NOR معمولاً برای ذخیره پیکر بندی داده ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده می شوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROMها یا حافظهٔ استاتیک باتری دار ممکن می شد. یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخه های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است. فلش های NOR و NAND نام خود را از روابط داخلی بین سلول های حافظه شان می گیرند. مشابه گیت نند، در فلش های نند هم گیت ها در سری هایی به هم متصل هستند. در یک گیت NOR ترانزیستورها به طور موازی به هم متصل هستند و مانند آن در فلش NOR سلول ها به طور موازی به خطوط بیت متصل هستند و به همین دلیل است که سلول ها می توانند جداگانه و مستقل، خوانده و برنامه نویسی شوند.[۱]در مقایسه با فلش های NOR جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروه های سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آن ها می افزاید. در حالی که فلش های NOR می توانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلش های NAND می توانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.


Flash Memoryچیست؟

حافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم .

شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات درRAMمی باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند . به این معنی که در آنها هیچ قطعه متحرکی به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام می شود . در مقابل درون دیسک های سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد که این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد

قطعاتی از قبیل تراشه هایBIOS، حافظه های فلش متراکم شده که در دوربین های دیجیتالی به کار می روند ، حافظه های هوشمند ،Memory Stickو کارت های حافظه که در کنسول های بازی به کار می روند همه و همه از این نوع حافظه استفاده می کنند .

در این قسمت به فن آوری و زیر ساخت این نوع حافظه نگاهی کوتاه داریم . حافظه های فلش از تراشه هایEEPROMساخته شده اند . همان طور که در مقالات قبلی ذکر شد در این گونه از حافظه ها ذخیره و حذف اطلاعات توسط جریان های الکتریکی صورت می پذیرد . این گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون های مختلف شبکه ای منظم را پدید می آورند . در این شبکه هر بخش کوچک دارای شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از این بخش ها یک سلول حافظه نامیده می شود . هر کدام از این سلول ها ازتعدادی ترانزیستور ساخته شده و هر کدام از این سلول ها توسط لایه های اکسید از دیگر سلول ها جدا می باشد . درداخل این سلول ها دو ترانزیستور معروف با نام هایFloating gateوControl gateاستفاده می شود .Floating gateبه خط ارتباطی سطر ها متصل بوده و تا زمانی که ارتباط بین این دو ترانزیستور برقرار باشد ، این سلول دارای ارزش ١ می باشد . این سلول ها می توانند دارای ارزش ١ و یا٪باشند .

●Tunneling:

این روش برای تغییر دادن مکان الکترون های ایجاد شده درFloating gateبکار می رود . اغلب سیگنال های شارژ الکترونیکی بین ١٪تا ١٣ ولت می باشند که این میزان توسطFloating gateاستفاده می شود . در زمانTunnelingاین میزان توسط ستون ها ازFloating gateگذشته و به زمین منتقل می شود . این سیگنال باعث می شود که این ترانزیستور مشابه یک تفنگ الکترونی وارد عمل شود . این تفنگ الکترونی ، الکترون ها به خارج لایه اکسید شده رانده و بدین ترتیب باعث از بین رفتن آنها می شود .

در اینجا واحد مخصوصی به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عملTunnelingهمراه با مقدارش را ثبت می کند . اگر مقدار این سیگنال که از میان دو ترانزیستور می گذرد کمتر از نصف آستانه حساسیت حسگر باشد ، برای آن سلول در ارزش گذاری رقم٪ثبت می شود . ذکر این نکته ضروری است که این سلول ها در حالت عادی دارای ارزش ١ هستند .

با این توضیحات ممکن است فکر کنید که درون رادیو خودروی شما یک حافظه فلش قراردارد . درست حدس زدید ، اطلاعات ایستگاه های رادیویی مورد علاقه شما در نوعی حافظه به اسمFlash ROMذخیره می شود . البته نحوه ثبت و نگهداری اطلاعات در این نوع حافظه به کلی باFlash memoryفرق می کند . این نوع حافظه برای نگهداری اطلاعات به یک منبع الکتریسیته خارجی احتیاج دارد . در صورتی که حافظه های فلش بدون نیاز به منبع خارجی اطلاعات را ثبت و ضبط می کنند .

زمانی که شما اتومبیل خود را خاموش می کنید جریان بسیار کمی به سمت این حافظه در جریان است و همین جریان بسیار کم برای حفظ اطلاعات شما کافی می باشد . ولی با تمام شدن باتری خودرو و یا جدا کردن سیم برق کلیه اطلاعات ثبت شده از بین می رود .

امروزه این فن آوری ، آنقدر سریع توسعه می یابد که تا چند سال دیگر قادر به ذخیره اطلاعات معادل ٤٪گیگا بایت در فضایی به اندازه یک سانتی متر مربع هستیم . هم اکنون نیز این حافظه ها در ابعاد بسیار کوچک در ظرفیت های گوناگون در دسترس همه قرار .

فلش مموری

حافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم . شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات درRAMمی باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند . به این معنی که در آنها هیچ قطعه متحرکی به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام می شود . در مقابل درون دیسک های سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد که این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد . قطعاتی از قبیل تراشه هایBIOS، حافظه های فلش متراکم شده که در دوربین های دیجیتالی به کار می روند ، حافظه های هوشمند ،Memory Stickو کارت های حافظه که در کنسول های بازی به کار می روند همه و همه از این نوع حافظه استفاده می کنند . در این قسمت به فن آوری و زیر ساخت این نوع حافظه نگاهی کوتاه داریم . حافظه های فلش از تراشه هایEEPROMساخته شده اند . همان طور که در مقالات قبلی ذکر شد در این گونه از حافظه ها ذخیره و حذف اطلاعات توسط جریان های الکتریکی صورت می پذیرد . این گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون های مختلف شبکه ای منظم را پدید می آورند . در این شبکه هر بخش کوچک دارای شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از این بخش ها یک سلول حافظه نامیده می شود . هر کدام از این سلول ها ازتعدادی ترانزیستور ساخته شده و هر کدام از این سلول ها توسط لایه های اکسید از دیگر سلول ها جدا می باشد . درداخل این سلول ها دو ترانزیستور معروف با نام هایFloating gateوControl gateاستفاده می شود .Floating gateبه خط ارتباطی سطر ها متصل بوده و تا زمانی که ارتباط بین این دو ترانزیستور برقرار باشد ، این سلول دارای ارزش ١ می باشد . این سلول ها می توانند دارای ارزش ١ و یا٪باشند .Tunneling: این روش برای تغییر دادن مکان الکترون های ایجاد شده درFloating gateبکار می رود . اغلب سیگنال های شارژ الکترونیکی بین ١٪تا ١٣ ولت می باشند که این میزان توسطFloating gateاستفاده می شود . در زمانTunnelingاین میزان توسط ستون ها ازFloating gateگذشته و به زمین منتقل می شود . این سیگنال باعث می شود که این ترانزیستور مشابه یک تفنگ الکترونی وارد عمل شود . این تفنگ الکترونی ، الکترون ها به خارج لایه اکسید شده رانده و بدین ترتیب باعث از بین رفتن آنها می شود . در اینجا واحد مخصوصی به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عملTunnelingهمراه با مقدارش را ثبت می کند . اگر مقدار این سیگنال که از میان دو ترانزیستور می گذرد کمتر از نصف آستانه حساسیت حسگر باشد ، برای آن سلول در ارزش گذاری رقم٪ثبت می شود . ذکر این نکته ضروری است که این سلول ها در حالت عادی دارای ارزش ١ هستند . با این توضیحات ممکن است فکر کنید که درون رادیو خودروی شما یک حافظه فلش قراردارد . درست حدس زدید ، اطلاعات ایستگاه های رادیوئی مورد علاقه شما در نوعی حافظه به اسمFlash ROMذخیره می شود . البته نحوه ثبت و نگهداری اطلاعات در این نوع حافظه به کلی باFlash memoryفرق می کند . این نوع حافظه برای نگهداری اطلاعات به یک منبع الکتریسیته خارجی احتیاج دارد . در صورتی که حافظه های فلش بدون نیاز به منبع خارجی اطلاعات را ثبت و ضبط می کنند . زمانی که شما اتومبیل خود را خاموش می کنید جریان بسیار کمی به سمت این حافظه در جریان است و همین جریان بسیار کم برای حفظ اطلاعات شما کافی می باشد . ولی با تمام شدن باتری خودرو و یا جدا کردن سیم برق کلیه اطلاعات ثبت شده از بین می رود . امروزه این فن آوری ، آنقدر سریع توسعه می یابد که تا چند سال دیگر قادر به ذخیره اطلاعات معادل ٤٪گیگا بایت در فضائی به اندازه یک سانتی متر مربع هستیم . هم اکنون نیز این حافظه ها در ابعاد بسیار کوچک در ظرفیت های گوناگون در دسترس همه قرار دارد .

حافظه فلش یک نوع ازEEPROM(Electronically Erasable Programmable Read only memory) است که از شبکه ای ماتریسی (سطری ستونی) از سلول هایی با دو ترانزیستور در هر تقاطع سطر ستون تشکیل یافته است. دو ترانزیستور به وسیله لایه نازکی از اکسید از یکدیگر جدا گردیده اند و به طور مستقل کار می کنند.

یکی از ترانزیستور ها همانند دریچه ای شناور عمل می نماید و دیگری مسئولیت دریچه کنترل ره به عهده دارد . تنها اتصال گیت شناور به سطر یاword lineاز میان گیت کنترل می گذرد. تا زمانیکه این پیوند بر قرار است مقدار سلول حافظه برابر یک قرار می گیرد. برای تغییر مقدار یک به صفر لازم است یک پردازش خاص به نامFowler -Nordheim tunnelingانجام گیرد.

از این پردازش برای عوض کردن نوع بار الکتریکی قرار گرفته در گیت شناور استفاده می شود. شارژ الکتریمی که معمولا بین 10 تا 13 ولت است به گیت شناور اعمال می گردد. این ولتاژ از ستون ها یاbitlineمی گذرد و پس از عبور از گیت شناور به زمین منتقل می شود.

این شارژ باعث می شود که ترانزیستور گیت شناور مانند یک تفنگ الکترونی عمل کند. بدین صورت که الکترون های موجود در گیت شناور به شدت به بیرون از ترانزیستور رانده می شود و در لایه نازک اکسید به دام می افتند و بار منفی را به آن منتقل می نماید

این بار همانند یک مرز بین گیت کنترل و گیت شناور عمل میکند.

به وسیله مخصوصی کهcell sensorنامیده می شود مقدار شارژ فرستاده شده توسط گیت شناور را بررسی می نماید. اگر این مقدار بیش از نیم شارژ فرستاده شده بود مقدار فعلی سلول برابر یک است. اما اگر این ولتاژ کمتر از نیم ولتاژ شارژ بود مقدار آن سلول صفر تلقی می شود.

در یکEEPROMخالی تمام گیت ها کاملا باز هستند و مقدار یک را نمایش می دهند.

امروزه با افزایش قدرت فلش مموری ها شرکت های بزرگ در صدد تو سعه زمینه کار برد های فلش بر آمده اند.

فلش وسیله مناسبی برای جابه جایی اطلاعات است و توانسته رقیب مناسبی برای سی دی تلقی شود . توانایی پخش فایل های صوتی و حتی تصویری بر قدرت فلش افزوده است و توانسته جایگاه مناسبی در بین کاربران پیدا کند.

Flashبرای چه بوجود آمد؟

نرم افزارFlashاز شرکتMacromediaنرم افزاری است که شرکت ماکرومدیا به عنوان یکSolutionیک راه حل در مرحله اول ایجاد کرد برای انتقال تصاویرVectorبر روی وب .

نرم افزارFlashاز شرکتMacromediaنرم افزاری است که شرکت ماکرومدیا به عنوان یکSolutionیک راه حل در مرحله اول ایجاد کرد برای انتقال تصاویرVectorبر روی وب .

تصاویرVectorبه چه معنی است ؟؟؟

دو نوع تصویر وجود دارد ، یکی تصاویرPixelکه در اصطلاح به آنهاRasterهم گفته میشود و یکی دیگر تصاویر برداری یاVector.

اوایل که اینترنت به وجود آمده بود سرعتهایConnectionاینترنتی در حد سرعتهایی که هم اکنون ما در ایران از آن استفاده میکنیم هم نبود ، چه برسد به آن سرعتی که هم اکنون آمریکایی ها از آن استفاده میکنند . در آن زمان سرعتهای مودمهایی که معمول بود ۹۶۰۰ بیت در ثانیه بود بهد از آن به ۱۴۴۰۰ بیت در ثانیه تبدیل شد . ۹۶۰۰ یعنی در یک ثانیه ۰.۹ کیلوبایت میتوانست اطلاعات راTransferکند . یعنی اگر قرار بود که تصویری ایجاد شود که این تصویر تبلیغات یک محصول قرار بود باشد و این تصویر ۵۰KBحجمش بود زمانی که لازم بودData Transferانجام بشه و تصویر ظاهر بشود در آن مودمها ۵۵ ثانیه بود . در نتیجه انتقال اطلاعات در اینترنت بسیار بسیار کند اتفاق می افتاد . به همین دلیل بود که درHTMLهای ورژن ۱ و ۲ مرسوم نبود که از تصویر در سایت وب استفاده کنند و راحت تر بگویم اصلاTagهای مربوط بهImageدر آن زمان در زبانHTMLوجود نداشت .

به تدریج که سرعتها افزایش پیدا کردند و سرعتها به ۱۴۴۰۰ و ۲۸۸۰۰ بیت در ثانیه رسیدند ، کم کم تصاویرPixelدر وب مطرح شدند و لی خوب یک چیزایی وجود داشت که هیچ اامی پشتش نبود که این تصاویر بخواهدPixelباشد مثلا آرم شرکت یا مثلا یکTitleکه قرار بود در بالای سایت قرار بگیرد و با یک فونت خاصی هم نمایش داده شود . اینها را اگر به یک شکلی میتوانستیمVectorانتقالشان دهیم خیلی خیلی سبکتر میشدند و در واقع یک صفحه وب هر چه حجمش کمتر باشد در اصطلاح به آن میگویند صفحه وب از لحاظ حجم بهینه است یا بهتره .

در یک نرم افزار گرافیکVectorاگر بخواهیم یک خط ترسیم کنیم ، نرم افزار گرافیکVectorبرای ترسیم مختصات نقطه شروع و مختصات نقطه پایان را در خودش ذخیره میکند. یعنی ۲ جفت عدد را یا بهتر بگم ۴ تا دونه عدد را . ولی در نرم افزار گرافیکPixelزمانی که بخواهیم یک خط بکشیم باید اطلاعات مربوط به تک تک اینPixelهایی که در روی خط قرار دارند بعلاوه تمامPixelهای دور آن را در خود ذخیره کند و هیچ فرمول ریاضی در این داستان نمیتواند دخالت کند و فقط میتوانیم در فرمتهای مختلف گرافیکی آنها را فشرده سازی کرد .

ولی در هر صورت حجم فایلهایPixelاصلا قابل قیاس با فایلهایVectorنبود . دو شرکت آمدند و سعی کردند که این کار را انجام دهند ، یعنی آمدند یک قالب و یک روشی را پیدا کنند که فایلها را بتوانند به صورتVectorانتقال دهند. زیرا مرورگرها فقط فایلهایPixelرا میتوانند نمایش دهند .

یکی شرکتAdobeبود که آمد و یک چیزی اختراع کرد به نامSVG (Scalble Vector Graphic) و دیگری شرکتMacromediaبود که آمد وSWF (Shockwave Flash) را اختراع کرد .

پس هدف در مرحله اول انتقال تصاویرVectorبود به هدف سبک تر شدن حجم صفحات .

اما مرورگرهای وب به تدریج توانایی پخش این جریان را نداشتند در نتیجه یک چیزی به وجود آمد به نامPluginکه بر روی مرورگر دستگاه شخص نصب میشود که باعث میشود که آن گرافیک به نمایش در آید. مثلاFlash Playerکه از اینترنت دانلود میکنیم و یا از رویCDنصب میکنیم، همین نقش را به عهده دارد .

Flashبه تدریج که تکامل پیدا کرد خیلی از داستانهای دیگری بود که به آن اضافه شد یعنی مثلا بحث انیمیشن در این برنامه مطرح شد-بحث موزیک در این برنامه مطرح شد-بحث برنامه نویسی در این برنامه مطرح شد .

تا قبل از این جریان کهFlashانیمیشن را در خودش قرار بدهد میبایستی برای ساخت انیمیشن های اینترنتی ازGif Animationاستفاده میشد که مشکلی که بود این بود که این قضیه باید فریم فریم ساخته میشد و مساله بعدی این بود کهGif Animationها به صورتPIXELبودند وFlashتصاویرVectorرا به انیمیشن تبدیل میکند و این را هم باید بگویم که ساخت انیمیشن درFlashبسیار راحت تر از ساختGif Animationاست .

امکان استفاده از موزیک درFlashیک امکان فوق العاده بود که یک استاندارد برای پخش موزیک در وب قرار دارد که این استانداردMP۳ بود.


حافظه فلاش یک نوع خاص ازتراشه هایEEPROMاست . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است حافظه های فلش نویز پذیر نمی باشند.سرعت دستیابی به حافظه های فلش بالا است . حافظه های فلش دارای اندازه کوچک هستند.

مقدمه

اوایل فوریه سال 2003 یعنی حدود 4ماه پیش ، خبری جالب در رسانه های خبری رایانه ای پخش شد: شرکت Dell که بزرگترین سازنده و تولید کننده رایانه شخصی در دنیاست ، قصد دارد فلاپی درایو را از فهرست مومات رایانه هایش حذف کند و آن را به صورت optional و اختیاری ارائه کند. این خبر در نگاه اول عجیب به نظر می رسد ، اما از آن جا که همگی ما با فلاپی دیسک کار کرده ایم ، با کمی تفکر دلیل چنین تصمیمی را در می یابیم . مدتهاست دیگر حجم 4/1 مگابایتی فلاپی دیسک ها کارآیی خوبی برای انتقال فایلهای حجیم کاربران ندارد. در واقع ، حجم اطلاعات و فایلهای کاربران به قدری بالا رفته است که نه تنها یک فلاپی دیسک که یک بسته 10تایی فلاپی دیسک هم دیگر به درد کاربر نمی خورد و اگر هم به درد بخورد، حمل و نقل داده ها را بسیار مشکل می کند. پس همگی قبول داریم عمر فلاپی دیسک سرآمده است ، اما سوالی که یقینا ذهن خواننده را پس از خواندن این خبر به خود مشغول می کند، جایگزین پیشنهادی Dell به جای فلاپی دیسک است . همه می خواهند بدانند چه وسیله ای جایگزین فلاپی دیسک می شود و به عنوان حافظه قابل حمل و نقل به کار گرفته می شود. در نظر اول ، بیشتر افراد متوجه سی دی و CDWriter می شوند و آن را کاندیدا می کنند، اما چندی است محصول دیگری نیز مطرح شده است که مشخصات مناسبی دارد و می تواند جایگزین خوبی برای فلاپی دیسک باشد و آن چیزی نیست جز. pen drive لابد می پرسید pen Drive چیست؟ pen Drive یک حافظه با شکل و قیافه یک خودکار یا ماژیک و در اندازه شست دست شماست . این حافظه که حجمی بین 16مگابایت تا 512مگابایت دارد، از طریق پورت USB به رایانه شما متصل می شود و پس از اتصال به عنوان یک درایو جدید در محیط سیستم عامل شما قابل استفاده است . اگر از سیستم عاملهای ویندوز xp.2000, ME لینوکس یاMac os9.0استفاده می کنید، کافی است pen Drive را به پورت USB رایانه خود متصل کنید، تا در همان لحظه توسط رایانه شناسایی شود و شما امکان استفاده از آن را بیابید، اما در صورتی که از ویندوز 98 SE استفاده می کنید، نیاز به درایور pen Drive نیز خواهید داشت . پس از شناخته شدن این حافظه کوچک به عنوان یک درایو جدید، شما امکان خواندن ، نوشتن و پاک کردن اطلاعات را روی این حافظه خواهید داشت . روی pen Driveیک LED وجود دارد که همان نقش LED درایو فلاپی را دارد. یعنی هنگامی که روشن و در حال چشمک زدن است ، به شما خاطرنشان می کند pen Drive در حال تبادل داده با رایانه است . اگر در چنین زمانی pen Drive را از پورت USB جدا کنید مقداری از اطلاعات را از دست خواهید داد. pen Drive را هم می توان همانند فلاپی دیسک write protect کرد و سوئیچی مخصوص این کار دارد. پس می توانید زمانی که می خواهید از نوشتن روی آن و یا پاک کردن اطلاعات از روی آن جلوگیری کنید، سوئیچ مذکور را به کار گیرید. ضمنا استفاده از این سوئیچ برای جلوگیری از ویروسی شدن pen Drive توصیه می شود. از آنجا که pen Drive از حافظه نوع flash استفاده می کند، از نظر تئوری اطلاعات ذخیره شده روی آن تا 10سال قابل دستیابی هستند. حافظه flash یا flash memory حافظه ای غیر فرار است که در آن هر سلول قابل برنامه ریزی است و تعداد زیادی از سلولها که به آنها بلوک ، سکتور یا صفحه (page) گفته می شود، قابل پاک شدن در یک لحظه هستند. حافظه های flash برای نگهداری اطلاعات نیازی به باتری ندارند و لذا حجم ، وزن و مصرف برق وسایل را پایین می آورند. اطلاعات درون حافظه flash قابل تغییر هستند و می توان ذخیره سازهای حجیمی را از این نوع حافظه ساخت . حافظه flash در مقایسه با هارد دیسک و فلاپی دیسک سرعت دسترسی بالاتری به اطلاعات دارد و از طرف دیگر در مقابل شوک ، مقاومت بیشتری از خود نشان می دهد. سرعت انتقال اطلاعات در pen Drive حدود 12مگابیت در ثانیه است که سرعتی خوب برای یک وسیله ذخیره ساز به حساب می آید. pen Drive را می توان همانند یک هارد دیسک معمولی روی شبکه به اشتراک گذارد ، حتی در صورتی که رایانه شما امکان بوت شدن و بالا آمدن از روی وسایل متصل شده از طریق پورت USB را داشته باشد ، شما می توانید pen Drive خود را فورمت و Bootable کنید تا از این نظر هم pen Drive از فلاپی دیسک های قدیمی کم نیاورد. با آن که هنوز استفاده از این نوع حافظه چندان رایج و فراگیر نشده است ، اما قیمت آن در حال حاضر نیز نسبتا مناسب است . شرکت Dell درصدد است نمونه 16مگابایتی آن را که حدود 20دلار قیمت دارد، به عنوان جایگزین فلاپی دیسک روی رایانه هایش بگذارد. خوب است بدانید انواع دیگری از این نوع حافظه با شکل و قیافه ظاهری متفاوت نیز به بازار آمده اند که به آنها Thumb memory یا حافظه شستی و cool drive و. نیز گفته می شود که همگی از همان نوع حافظه flashاستفاده می کنند و لذا نام flash memory را نیز یدک می کشند و از طرف دیگر وسیله ارتباطی تمامی آنها با رایانه همان پورت USB است . اگر تا به حال به فکر خرید یکی از این حافظه ها برای خود افتاده اید، بد نیست بدانید از چندی پیش نمونه های مختلف آن در بازار رایانه ایران نیز با قیمتی مناسب یافت می شوند. پس اگر از فلاپی دیسک های خود خسته شده اید و CDWriter شما مرتب سی دی می سوزاند و شما را کلافه می کند بد نیست سری به بازار بزنید و با خرید یک pen Drive ، انتقال اطلاعات را، آن هم در قالب خودکاری در جیب ، امتحان کنید.

حافظه هایEEPROMوFlash Memory

با اینکه حافظه ای EPROM یک موفقیت مناسب نسبت به حافظه های PROM از بعد استفاده مجدد می باشند ولی کماکن نیازمند بکارگیری تجهیزات خاص و دنبال نمودن فرآیندهای خسته کننده بمنظور حذف و نصب مجدد آنان در هر زمانی است که به یک شارژ نیاز باشد. در ضمن، فرآیند اعمال تغییرات در یک حافظه EPROM نمی تواند همزمان با نیاز و بصورت تصاعدی صورت پذیرد و در ابتدا می بایست تمام محتویات را پاک نمود.حافظه های Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)EEOPROM) پاسخی مناسب به نیازهای موجود است . در حافظه های EEPROM تسهیلات زیر ارائه می گردد:

برای بازنویسی تراشه نیاز به جدا نمودن تراشه از محل نصب شده نخواهد بود.

برای تغییر بخشی از تراشه نیاز به پاک نمودن تمام محتویات نخواهد بود.

اعمال تغییرات در این نوع تراشه ها مستم بکارگیری یک دستگاه اختصاصی نخواهد بود.

در عوض استفاده از اشعه ماوراء بنفش، می توان الکترون های هر سلول را با استفاده از یک برنامه محلی و بکمک یک میدان الکتریکی به وضعیت طبیعی برگرداند. عملیات فوق باعث حذف سلول های مورد نظر شده و می توان مجددا" آنها را بازنویسی نمود.تراشه های فوق در هر لحظه یک بایت را تغییر خواهند داد.فرآیند اعمال تغییرات در تراشه های فوق کند بوده و در مواردی که می بایست اطلاعات با سرعت تغییر یابند ، سرعت لازم را نداشته و دارای چالش های خاص خود می باشند.

تولیدکنندگان با ارائه Flash Memory که یک نوع خاص از حافظه های EEPROM می باشد به محدودیت اشاره شده پاسخ لازم را داده اند.در حافظه Falsh از مدارات از قبل پیش بینی شده در زمان طراحی ، بمنظور حذف استفاده می گردد ( بکمک ایجاد یک میدان الکتریکی). در این حالت می توان تمام و یا بخش های خاصی از تراشه را که " بلاک " نامیده می شوند، را حذف کرد.این نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سریعتر است ، چون داده ها از طریق بلاک هائی که معمولا" 512 بایت می باشند ( به جای یک بایت در هر لحظه ) نوشته می گردند. شکل زیر حافظه BIOS را که نوع خاصی از حافظه ROM مدل Flash memory است ، نشان می دهد.

نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد كرد. در صورتیكه جریان گیت بیشتر از 50 درصد شارژ باشد ، در اینصورت مقدار یك را دارا خواهد بود.زمانیكه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغییر پیدا خواهد كرد.یك تراشه EEPROM دارای گیت هائی است كه تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار یك را دارا است.
در این نوع حافظه ها ( فلش) ، بمنظور حذف از مدارات پیش بینی شده در زمان طراحی ( بكمك ایجاد یك میدان الكتریكی) استفاده می گردد. در این حالت می توان تمام و یا بخش های خاصی از تراشه را كه " بلاك " نامیده می شوند، را حذف كرد.این نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سریعتر است ، چون داده ها از طریق بلاك هائی كه معمولا" 512 بایت می باشند ( به جای یك بایت در هر لحظه ) نوشته می گردند.


مبانی حافظه فلش

حافظه فلاش یک نوع خاص ازتراشه هایEEPROMاست . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد. دو ترانزیستور فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا" به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار یک به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک "پخش کننده الکترون " رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از 50 درصد شارژ باشد ، در اینصورت مقدار یک را دارا خواهد بود.زمانیکه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغییر پیدا خواهد کرد.یک تراشه EEPROM دارای گیت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار یک را دارا است.

در این نوع حافظه ها ( فلش) ، بمنظور حذف از مدارات پیش بینی شده در زمان طراحی ( بکمک ایجاد یک میدان الکتریکی) استفاده می گردد. در این حالت می توان تمام و یا بخش های خاصی از تراشه را که " بلاک " نامیده می شوند، را حذف کرد.این نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سریعتر است ، چون داده ها از طریق بلاک هائی که معمولا" 512 بایت می باشند ( به جای یک بایت در هر لحظه ) نوشته می گردند.

کارت های حافظه فلش

تراشهBIOSدر کامپیوتر، متداولترین نوع حافظه فلش است . کارت های SmartMedia و ComapctFlash نیز نمونه های دیگری از حافظه های فلش بوده که اخیرا" متداول شده اند. از کارت های فوق بعنوان "فیلم های الکترونیکی" در دوربین های دیجیتال، استفاده می گردد .کارتهای حافظه برای بازیهای کامپیوتری نظیر Sega و PlayStation نمونه های دیگری از حافظه های فلش می باشند. استفاده از حافظه فلش نسبت به هارد دارای مزایای زیر است :

حافظه های فلش نویز پذیر نمی باشند.

سرعت دستیابی به حافظه های فلش بالا است .

حافظه های فلش دارای اندازه کوچک هستند.

حافظه فلش دارای عناصر قابل حرکت ( نظیر هارد ) نمی باشند.

قیمت حافظه های فلش نسبت به هارد بیشتر است .(3)

انواع حافظه های قابل حمل

Compact Flash Cards:

این نوع حافظه تمام تکنولوژی جهت خواندن را بهمراه خود دارد بهمین دلیل دوربین های شما سخت افزار خاصی برای خواندن اطلاعات این حافظه را نیاز ندارند .

دو نوع Compact Flash II,I نوع II آن ضخامت 5.5 m m دارد و کارت نوع I در محفظه های نوع II قابل خواندن است .

Compact Flash II وجود دارد را در محفظه های نوع I نمی توان قرارداد . Compact Flash ها از تکنولوژی حافظه non - volatile بهره برداری می کند و با قطع برق اطلاعات پاک نمی شوند نوع I آن تا 640 مگابایت و نوع II تا 1GB قابل افزایش می باشد .
MEMORY STICK :
تکنولوژی جدید سونی که از تکنولوژی Compact Flash استفاده می کند و قابل نصب بر روی دوربین ها و دستگاه های Audio / Video سونی میباشد . حجم این حافظه از 8 تا 128 مگابایت میباشد .

این نوع حافظه احتیاج به دستگاهی جدا برای خواندن اطلاعات آن ندارد با فشاردادن دگمه ای روی آن از پاک شدن اطلاعات جلوگیری میشود نوع جدید آن Memory Stick DUO میزان حافظه ای تا 1GB را خواهد داشت .

SMART MEDIA CARDS:

40% دوربین های امروز از Smart Media Cards و Compact Flash استفاده می کنند .

حافظه های Smart Media Card طوری طراحی شده اند که مدارهای لازم برای خواندن اطلاعاتشان بر روی دوربین نصب شده است بهمین دلیل اندازه بسیار کوچکتری نسبت به Compact Flash ها دارند .

نوع قدیمی این کارت احتیاج به 5 ولت برق داشت و حجم حافظه آن حداکثر 5 مگابایت بود . انواع جدید این حافظه فقط نیاز به 2/3 ولت دارد و حجم حافظه آن تا 128 مگابایت افزایش یافته است . گوشه انواع قدیمی این نوع حافظه بریدگی دارد که باعث می شود انواع جدید در محل آن قرار نگیرد .

XDPICTURE CARD:

حافظه ای بسیار کوچک که توسط Olympus , Fuji طراحی شده است . و بمعنی کارت Exterme Digital یا بهترین ابزار برای ضبط فیلم و صدا و تصویر است اندازه این کارت 20x25x1.7 میلی متر مربع است و دو گرم وزن دارد . قابلیت حجم اطلاعات تا 8GB را دارد .

بهمراه این کارت Adepter خاصی طراحی شده تا به سادگی به کامپیوتر متصل شده و اطلاعات نه تنها دوربین بلکه کامپیوتر خود را به XD کارت منتقل کنید .

MULTI MEDIA CARD:

تکنولوژی که سال 1997 توسطشرکت زیمنس و شرکت SCAN DISK CORP طراحی شد . ظرفیت امروزین کارت 64 مگابایت است و اندازه آن 32x24x1/4 میلی متر مربع است که یک پنجم کارت حافظه Compact Flash می باشد . در این 64 مگابایت می توان 64 دقیقه صدای دیجیتال یا 40 هزار صفحه کتاب را حفظ کرد . از این حافظه در MP3 PLAYER ها تلفن های همراه کامپیوترهای Laptop و دوربین های دیجیتال می توان استفاده کرد .(5)

كوچكترین سلول حافظه غیرفرار جهان ساخته شد

تحولی نوین در تولید تراشه های حافظه یی
كوچكترین سلول حافظه غیرفرار جهان ساخته شد

به گزارش سرویس فناوری استراتژیك خبرگزاری دانشجویان ایران(ایسنا)، دانشمندان موسسه تكنولوژی Infineon طی تحقیقاتی كه موفق شد ركوردهای صنعت نیمه هادی را بشكند، كوچكترین سلول حافظه فلش غیرفرار جهان را ساختند. این حافظه جدید اندازه ای حدود 20 نانومتر یعنی تقریبا 5 هزار بار باریكتر از موی انسان دارد. با وجود این طرح جدید، تمام چالش های مربوط به ساخت قطعات نیمه هادی مانند مشكلات لیتوگرافی برطرف می شود و با استفاده از آن می توان در یك سال آینده تراشه های حافظه یی غیرفرار را با ظرفیت 32 گیگابیت (8 برابر حافظه های كنونی موجود در بازار) ساخت. استفاده از حافظه های فلش غیرفرار به عنوان محیط ذخیره اطلاعات در وسایلی مانند دوربین های دیجیتال و پورت های USB به طور فزاینده ای رو به گسترش است. حافظه های فلش غیرفرار موجود در بازار می توانند بدون نیاز به ولتاژ تغذیه و به طور ماندگار یك یا دو بیت اطلاعات را در هر سلول حافظه ذخیره كنند. این حافظه ها اندازه ای حدود 90 نانومتر دارند و این اندازه را با استفاده از تكنولوژی های ویژه ای طوری به حدود نصف كاهش می دهند كه تحت تاثیر اثرات فیزیكی ابعاد نانو قرار نگیرند. مثلا ساخت سلول های حافظه فلش در ابعاد 20 نانومتر غیرممكن به نظر می رسد، چون اثرات فیزیكی می تواند این سلول های حافظه را تقریبا غیرقابل اعتماد كند. محققان Infineon توسط ایجاد یك ساختار سه بعدی با یك پره سیلیكونی در ترانزیستور كه به عنوان قلب سلول حافظه عمل می كند، بر این مشكلات فائق آمده اند. این ساختار هندسی ویژه، تاثیرات ناخواسته را به حداقل می رساند و به طور مشخص كنترل الكترواستاتیك را در مقایسه با ترانزیستورهای تخت امروزی بهبود می دهد. در این ساختار الكترون های ذخیره كننده اطلاعات در یك لایه نیترید جمع می شوند كه به طور الكترونیكی بین پره سیلیكونی و گیت الكترود قرار می گیرد كه این ابزار را FinFET) Fin Field Effect Transistor) نامگذاری كرده اند. این لایه نیترید فقط 8 نانومتر ضخامت دارد و توسط الكتروگیت به عرض 20 نانومتر كنترل می شود. ترانزیستورهای FinFET بادوام هستند و قابلیت های الكترونیكی عالی نیز دارند. مثلا پیشرفته ترین حافظه های كنونی موجود در بازار به حدود هزار الكترون برای نگهداری یك بیت اطلاعات نیاز دارند. به گزارش ایسنا از ستاد ویژه توسعه فناوری نانو، این سلول حافظه جدید موسسه Infineon فقط از 100 الكترون استفاده می كند و در مجموع صد الكترون نیز بیت دوم را در همان ترانزیستور ذخیره می كنند. برای مقایسه می توان گفت، 100 الكترون تقریبا تعداد الكترون هایی است كه در اتم طلا وجود دارند. به جز این سطوح ذخیره انرژی كه در حداقل اندازه ممكن ساخته شده اند، نمونه طراحی شده در آزمایشگاه های Infineon مونیخ قابلیت های الكترونیكی عالی دیگری را نیز نشان می دهد .

نتیجه :

حافظه فلش از حافظه فلش برای ذخیره اطلاعات آسان و سریع استفاده می شود. در حقیقت اینحافظه بعنوان دستگاه ذخیره سازی امن در نظر گرفته می شود. مثلا تراشهCompactflash ، BIOS (بیشتر در دوربینهای دیجیتالی یافت می شود) Smarts media یا رسانه های هوشمند، PCMCIA ، Memory Stick و کارتهای حافظه از حافظه فلش استفاده می نمایند. این حافظه نوعی از تراشه EEPROM یا حافظه فقط خواندنی قابل برنامه ریزی پاک کردنی می باشد و دارای شبکه شطرنجی با یک سل (خانه های مستطیل شکل در شبکه شطرنجی را گویند) که دارای دو ترانزیستور در هر تقاطع آن وجود دارند، می باشد. دو ترانزیستورها از یکدیگر به وسیله لایه اکسید جدا می شوند. یکی از ترانزیستورها بعنوان یک Floating gate و دیگری به عنوان Control gate شناخته می شود. Floating gate فقط به ردیف و Control gate به Word line لینک می شود. تا زمانیکه این لینک موجود باشد سل دارای مقدار برابر با یک است. الکترونهای موجود در سل یک تراشه حافظه Flash می توانند با استفاده از یک میدان الکتریکی و شارژ ولتاژ بالا به عدد نرمال یعنی یک برگردند. حافظه Flash سریعتر از حافظه فقط خواندنی قابل برنامه ریزی پاک کردنی، عمل می نماید، بدلیل اینکه به جای پاک کردن یک بایت در یک زمان یک گروه واژه یا کل تراشه را پاک کرده سپس دوباره آنرا می نویسد. حافظه فلش بدون صدا بوده و امکان دستیابی سریعتر را فراهم می آورد.


حافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت

بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند .

از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم . شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند .

برای دریافت توضیحات تکمیلی به ادامه مطلب مراجعه کنید

(فروشگاه نوریان)

حافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت

بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند .

از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم . شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یک منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می کند .

به این معنی که در آنها هیچ قطعه متحرکی به کار نرفته و تمام کارها توسط مدارات الکترونیکی انجام می شود . در مقابل درون دیسک های سخت چندین قسمت متحرک وجود دارد که این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد . قطعاتی از قبیل تراشه های BIOS ، حافظه های فلش متراکم شده که در دوربین های دیجیتالی به کار می روند ، حافظه های هوشمند ، Memory Stick و کارت های حافظه که در کنسول های بازی به کار می روند همه و همه از این نوع حافظه استفاده می کنند .

در این قسمت به فن آوری و زیر ساخت این نوع حافظه نگاهی کوتاه داریم . حافظه های فلش از تراشه های EEPROM ساخته شده اند . همان طور که در مقالات قبلی ذکر شد در این گونه از حافظه ها ذخیره و حذف اطلاعات توسط جریان های الکتریکی صورت می پذیرد . این گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون های مختلف شبکه ای منظم را پدید می آورند .

در این شبکه هر بخش کوچک دارای شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر کدام از این بخش ها یک سلول حافظه نامیده می شود . هر کدام از این سلول ها ازتعدادی ترانزیستور ساخته شده و هر کدام از این سلول ها توسط لایه های اکسید از دیگر سلول ها جدا می باشد . درداخل این سلول ها دو ترانزیستور معروف با نام های Floating gate و Control gate استفاده می شود . Floating gate

به خط ارتباطی سطر ها متصل بوده و تا زمانی که ارتباط بین این دو ترانزیستور برقرار باشد ، این سلول دارای ارزش ١ می باشد . این سلول ها می توانند دارای ارزش ١ و یا ٪ باشند . Tunneling : این روش برای تغییر دادن مکان الکترون های ایجاد شده در Floating gate بکار می رود . اغلب سیگنال های شارژ الکترونیکی بین ١٪ تا ١٣ ولت می باشند که این میزان توسط Floating gate استفاده می شود . در زمان Tunneling این میزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمین منتقل می شود .

این سیگنال باعث می شود که این ترانزیستور مشابه یک تفنگ الکترونی وارد عمل شود . این تفنگ الکترونی ، الکترون ها به خارج لایه اکسید شده رانده و بدین ترتیب باعث از بین رفتن آنها می شود . در اینجا واحد مخصوصی به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت می کند . اگر مقدار این سیگنال که از میان دو ترانزیستور می گذرد کمتر از نصف آستانه حساسیت حسگر باشد ، برای آن سلول در ارزش گذاری رقم ٪ ثبت می شود .

ذکر این نکته ضروری است که این سلول ها در حالت عادی دارای ارزش ١ هستند . با این توضیحات ممکن است فکر کنید که درون رادیو خودروی شما یک حافظه فلش قراردارد . درست حدس زدید ، اطلاعات ایستگاه های رادیوئی مورد علاقه شما در نوعی حافظه به اسم Flash ROM ذخیره می شود . البته نحوه ثبت و نگهداری اطلاعات در این نوع حافظه به کلی با Flash memory فرق می کند .

این نوع حافظه برای نگهداری اطلاعات به یک منبع الکتریسیته خارجی احتیاج دارد . در صورتی که حافظه های فلش بدون نیاز به منبع خارجی اطلاعات را ثبت و ضبط می کنند . زمانی که شما اتومبیل خود را خاموش می کنید جریان بسیار کمی به سمت این حافظه در جریان است و همین جریان بسیار کم برای حفظ اطلاعات شما کافی می باشد .

ولی با تمام شدن باتری خودرو و یا جدا کردن سیم برق کلیه اطلاعات ثبت شده از بین می رود . امروزه این فن آوری ، آنقدر سریع توسعه می یابد که تا چند سال دیگر قادر به ذخیره اطلاعات معادل ٤٪ گیگا بایت در فضائی به اندازه یک سانتی متر مربع هستیم . هم اکنون نیز این حافظه ها در ابعاد بسیار کوچک در ظرفیت های گوناگون در دسترس همه قرار دارد .


آخرین ارسال ها

آخرین جستجو ها

.....امت وسط....... صفر و یک روانشناسی fdstore یاس سفید شورای دانش آموزی دبیرستان حضرت ولی عصر(عج) فرخ شهر natureharmoni یادمان بادرود مدیر اجرایی صنعت حمل و نقل ریلی فروشگاه فایل پی دی فا